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參數資料
| 型號： | DG408BP45 |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Gate Turn-off Thyristor |
| 中文描述： | 502.4 A, 4500 V, GATE TURN-OFF SCR |
| 封裝： | P, 4 PIN |
| 文件頁數： | 4/19頁 |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | DG408BP45 |
DG408BP45
4/19
CURVES
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Junction temperature T
j
- (C)
0
1.0
2.0
3.0
4.0
G
G
0
0.5
1.0
1.5
2.0
G
G
I
GT
V
GT
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
Instantaneous on-state voltage V
TM
- (V)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
T
Measured under pulse conditions.
I
= 4.0A
Half sine wave 10ms
T
j
= 125
C
T
j
= 25
C
0.25
0.50
1.00
1.5
2.0
Snubber capacitance C
S
- (μF)
0
0.5
1.0
1.5
M
T
Conditions:
T
j
= 125
C, V
= V
DRM
,
dI
GQ
/dt = 30A/μs
0.75
1.25
1.75
Fig.1 Maximum gate trigger voltage/current vs junction temperature
Fig.2 On-state characteristics
Fig.3 Maximum dependence of I
TCM
on C
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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