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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DG648BH |
| 英文描述： | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| 中文描述： | GTO的晶閘管-不對(duì)稱-光盤/北辰設(shè)備 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | DG648BH |
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DG648BH45
5/19
Fig.3 Maximum dependence of I
TCM
on C
S
Fig.4 Maximum (limit) transient thermal impedance - double side cooled
Fig.5 Surge (non-repetitive) on-state current vs time
0
1.0
Snubber capacitance C
S
- (μF)
2.0
3.0
4.0
0
1000
2000
3000
M
c
T
Conditions:
T
j
= 125
C, V
= V
DRM
,
dI
GQ
/dt = 40A/μs
0
0.005
0.010
0.015
0.020
0.001
0.01
0.1
1.0
10
Time - (s)
T
C
dc
0
10
20
30
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
Pulse duration - (s)
P
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