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參數(shù)資料
| 型號： | DIM1800ESM12-A |
| 英文描述： | IGBT Modules - Single Switch |
| 中文描述： | IGBT模塊-單開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | DIM1800ESM12-A |
DIM1800ESM12-A000
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
7/10
Fig. 7 Diode typical forward characteristics
Fig. 8 Reverse bias safe operating area
Fig. 9 Diode reverse bias safe operating area
Fig. 10 Transient thermal impedance
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Forward voltage, V
F
- (V)
F
F
0
400
800
1200
1600
2000
2400
3200
2800
4000
3600
4400
4800
V
is measured at power busbars
and not the auxiliary terminals
T
j
= 25
C
T
= 125
C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3200
3400
3600
3800
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 10001100 12001300
Collector emitter voltage, V
ce
- (V)
C
C
T
case
= 125
C
V
ge
=15V
R
g
= 1.2 Ohms
Module I
C
Chip I
C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Reverse voltage, V
R
- (V)
R
r
T
j
= 125
C
0.1
0.001
1
10
100
0.01
1
0.1
10
Pulse width, t
p
- (s)
T
t
°
C
Diode
Transistor
IGBT
Diode
R
i
(C/KW)
τ
i
(ms)
R
(C/KW)
τ
i
(ms)
1
0.25
0.12
0.55
0.11
2
1.78
3.89
4.12
4.24
3
2.51
47.15
5.76
48.75
4
3.47
257.21
7.35
256.75
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| DIM1800ESS12A00 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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