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參數資料
| 型號： | DIM400BSS17-E |
| 英文描述： | IGBT Modules - Single Switch |
| 中文描述： | IGBT模塊-單開關 |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 265K |
| 代理商： | DIM400BSS17-E |
DIM400GCM33-A000
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
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7/10
Fig. 7 Diode typical forward characteristics
Fig. 8 Reverse bias safe operating area
Fig. 9 Diode reverse bias safe operating area
Fig. 10 Transient thermal impedance
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Forward voltage, V
F
- (V)
F
F
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
V
F
is measured at power busbars
and not the auxiliary terminals
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
500
1000
Collector emitter voltage, V
ce
- (V)
1500
2000
2500
3000
3500
C
C
T
case
= 125C
V
ge
= ±15V
R
g(min)
= 4.7
Module
Chip
0
100
200
300
400
500
600
700
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
Reverse voltage, V
R
- (V)
R
r
0.1
0.001
10
100
0.01
1
0.1
10
Pulse width, t
p
- (s)
T
t
°
C
IGBT
Diode
R
(C/KW)
τ
i
(ms)
R
(C/KW)
τ
i
(ms)
1
0.89
0.13
1.79
0.13
2
5.63
5.80
11.26
5.80
3
7.88
48.03
15.77
48.03
4
9.56
248.53
19.11
248.53
Diode
Transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DIM400DCM17-A | IGBT Modules - Chopper |
| DIM400DDM12-A | IGBT Modules - Dual Switch |
| DIM400DDM17-A | IGBT Modules - Dual Switch |
| DIM400GDM33-A | IGBT Modules - Dual Switch |
| DIM400GDM33-F | IGBT Modules - Dual Switch |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| DIM400DCM17A000 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| DIM400DCM17-A000 | 制造商:DYNEX 制造商全稱:Dynex Semiconductor 功能描述:IGBT Chopper Module |
| DIM400DCM17-A000_11 | 制造商:DYNEX 制造商全稱:Dynex Semiconductor 功能描述:IGBT Chopper Module |
| DIM400DDM12-A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Modules - Dual Switch |
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