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參數資料
型號: DMC80C49
英文描述: CMOS SINGLE-COMPONENT 8-BIT MICROCOMPUTER
中文描述: CMOS單分量8位微機
文件頁數: 1/12頁
文件大小: 655K
代理商: DMC80C49
相關PDF資料
PDF描述
DMCA1CHP TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP
DMCB1CHP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP
DMCB2CHP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP
DMCD1CHP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP
DMD1025-1 Analog IC
相關代理商/技術參數
參數描述
DMC904010R 功能描述:兩極晶體管 - BJT COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
DMC904F00R 功能描述:兩極晶體管 - BJT Composite Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
DMC961010R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
DMC961020R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
DMC961030R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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