| 型號： | DMG1012T-7 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 630mA |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫歐 @ 600mA，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 0.74nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 60.67pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 280mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-523 |
| 供應商設備封裝： | SOT-523 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產品目錄頁面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | DMG1012T-7DIDKR |