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參數(shù)資料
型號(hào): DMG1026UV-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 410mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.8 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 32pF @ 25V
功率 - 最大: 580mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-563
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: DMG1026UV-7DIDKR
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