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參數(shù)資料
型號(hào): DMG2301U-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 130 毫歐 @ 2.8A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 608pF @ 6V
功率 - 最大: 800mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMG2301U-7DIDKR
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