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參數資料
型號: DMG2302U-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 4/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 4.2A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫歐 @ 3.6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 594.3pF @ 10V
功率 - 最大: 800mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝: SOT-23-3
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMG2302U-7DIDKR
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