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參數(shù)資料
型號(hào): DMG3415UFY4-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 16V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 39 毫歐 @ 4A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 281.9pF @ 10V
功率 - 最大: 490mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 3-XFDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: DFN2015H4-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMG3415UFY4-7DIDKR
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