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參數資料
型號: DMG4800LFG-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 1/6頁
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描述: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 7.44A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17 毫歐 @ 9A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 9.47nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 798pF @ 10V
功率 - 最大: 940mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-UDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝: 8-DFN3030(3x3)
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMG4800LFG-7DIDKR
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