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參數(shù)資料
型號: DMG6898LSD-13
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫歐 @ 9.4A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1149pF @ 10V
功率 - 最大: 1.28W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SO
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: DMG6898LSD-13DIDKR
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