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參數資料
型號: DMG8601UFG-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 6/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 6.1A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 23 毫歐 @ 6.5A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 143pF @ 10V
功率 - 最大: 920mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-UDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝: 8-DFN3030(3x3)
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMG8601UFG-7DIDKR
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