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參數資料
型號: DMG9926USD-13
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 4/6頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫歐 @ 8.2A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 900mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 867pF @ 15V
功率 - 最大: 1.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOP
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMG9926USD-13DIDKR
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