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參數資料
型號: DMN100-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 3/4頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 1.1A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 240 毫歐 @ 1A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 150pF @ 10V
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝: SC-59-3
包裝: 剪切帶 (CT)
其它名稱: DMN100
DMN100CT
DMN100CT-ND
DMN100DICT
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