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參數(shù)資料
型號: DMN2004K-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3
產(chǎn)品變化通告: Encapsulate Change 15/May/2008
Copper Bond Wire Change 3/May/2011
產(chǎn)品目錄繪圖: SOT-23 Package Top
SOT-23 Package Side 1
SOT-23 Package Side 2
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 630mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 550 毫歐 @ 540mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 150pF @ 16V
功率 - 最大: 350mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMN2004KDIDKR
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