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參數(shù)資料
型號: DMN2005K-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
產(chǎn)品變化通告: Encapsulate Change 15/May/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 300mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.7 歐姆 @ 200mA,2.7V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 900mV @ 100µA
功率 - 最大: 350mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3
包裝: 帶卷 (TR)
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