| 型號： | DMN2009LSS-13 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
| 標準包裝： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 12A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫歐 @ 12A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 58.3nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2555pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 8-SOP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |