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參數(shù)資料
型號(hào): DMN2016LFG-7
廠商: Diodes Inc
文件頁(yè)數(shù): 1/6頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N CH DUAL 20V 5.2A
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5.2A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫歐 @ 6A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1472pF @ 10V
功率 - 最大: 770mW
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-UDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-UDFN3030
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱(chēng): DMN2016LFG-7DIDKR
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