| 型號： | DMN2019UTS-13 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.5 毫歐 @ 7A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 8.8nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 143pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-TSSOP |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | DMN2019UTS-13DIDKR |