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參數資料
型號: DMN2041LSD-13
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 7.63A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 28 毫歐 @ 6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 550pF @ 10V
功率 - 最大: 1.16W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SO
包裝: 標準包裝
其它名稱: DMN2041LSD-13DIDKR
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