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參數(shù)資料
型號: DMN2100UDM-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
產(chǎn)品變化通告: Copper Bond Wire Change 3/May/2011
產(chǎn)品目錄繪圖: SOT-26 Package Top
SOT-26 Package Side 1
SOT-26 Package Side 2
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 55 毫歐 @ 6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 555pF @ 10V
功率 - 最大: 900mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6
供應商設備封裝: SOT-26
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMN2100UDMDIDKR
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