| 型號： | DMN21D2UFB-7B |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 760mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 990 毫歐 @ 100mA，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 0.93nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 27.6pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 3-XFDFN |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 3-X1DFN1006 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | DMN21D2UFB-7BDIDKR |