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參數資料
型號: DMN2990UFA-7B
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 3/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N CH 20V 510MA
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 510mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 990 毫歐 @ 100mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 27.6pF @ 16V
功率 - 最大: 400mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 3-XFDFN
供應商設備封裝: 3-X2-DFN0806
包裝: 標準包裝
其它名稱: DMN2990UFA-7BDIDKR
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