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參數(shù)資料
型號: DMN3024LSS-13
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫歐 @ 7A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 608pF @ 15V
功率 - 最大: 1.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SO
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMN3024LSS-13DIDKR
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