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參數(shù)資料
型號(hào): DMN3033LDM-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
產(chǎn)品變化通告: Bond Wire Change 11/Nov/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6.9A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 33 毫歐 @ 6.9A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 755pF @ 10V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-26
包裝: 帶卷 (TR)
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