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參數資料
型號: DMN3052LSS-13
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 7.1A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 30 毫歐 @ 7.1A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 555pF @ 5V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOP
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMN3052LSSDIDKR
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