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參數(shù)資料
型號(hào): DMN3112S-7
廠商: Diodes Inc
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
產(chǎn)品目錄繪圖: SOT-23 Package Top
SOT-23 Package Side 1
SOT-23 Package Side 2
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5.8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 57 毫歐 @ 5.8A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 268pF @ 5V
功率 - 最大: 1.4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMN3112SDIDKR
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