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參數資料
型號: DMN3730UFB4-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 6/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 750mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 460 毫歐 @ 200mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 64.3pF @ 25V
功率 - 最大: 470mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 3-XFDFN
供應商設備封裝: 3-DFN
包裝: 標準包裝
其它名稱: DMN3730UFB4-7DKR
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