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參數資料
型號: DMN4060SVT-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 1/7頁
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描述: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 45V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 4.8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 46 毫歐 @ 4.3A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1287pF @ 25V
功率 - 最大: 1.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝: TSOT26
包裝: 標準包裝
其它名稱: DMN4060SVT-7DIDKR
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