| 型號： | DMN5L06DW-7 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 |
| 產品變化通告： | End Of Life/Mfg Name Change 14/May/2009 |
| 其它圖紙： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 50V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 280mA |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 歐姆 @ 200mA，2.7V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應商設備封裝： | SOT-363 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | DMN5L06DWDIDKR |