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參數資料
型號: DMN6068SE-13
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 8/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 4.1A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 68 毫歐 @ 12A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 502pF @ 30V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝: SOT-223
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMN6068SE-13DKR
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