| 型號： | DMN66D0LDW-7 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 |
| 產(chǎn)品變化通告： | Wire Change 23/May/2008 |
| 其它圖紙： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 歐姆 @ 115mA，5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 23pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應商設備封裝： | SOT-363 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | DMN66D0LDWDIDKR |