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參數資料
| 型號： | DMP3030SN-7 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | DMP3030SN-7 |
DMP3030SN
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
N
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)
ESD Protected Gate
"Green" Device (Note 4)
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability
Mechanical Data
Case: SC-59
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Finish
Matte Tin annealed over Copper
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking Information: See Page 4
Ordering & Date Code Information: See Page 4
Weight: 0.008 grams (approximate)
SC-59
Dim
Min
Max
A
0.30
0.50
B
1.40
1.80
C
2.50
3.00
D
0.85
1.05
E
0.30
0.70
G
1.70
2.10
H
2.70
3.10
J
0.10
K
1.00
1.40
L
0.55
0.70
M
0.10
0.35
α
0
°
8
°
All Dimensions in mm
ESD protected
A
E
J
L
TOP VIEW
M
B
C
H
G
D
K
D
G
S
Source
EQUIVALENT CIRCUIT
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Maximum Ratings
@T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
STG
-30
V
Gate-Source Voltage
±
20
V
Drain Current (Note 1) Steady State
-0.7
A
Pulsed Drain Current (Note 3)
-2.8
A
Total Power Dissipation (Note 1)
500
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
250
°
C/W
°
C
Operating and Storage Temperature Range
-65 to +150
Notes:
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.
1. Device mounted on FR-4 PCB.
2. No purposefully added lead.
3. Pulse width
≤
10
μ
S, Duty Cycle
≤
1%.
DS30787 Rev. 2 - 2
1 of 4
www.diodes.com
DMP3030SN
Diodes Incorporated
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DN350T05 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DN350T05-7 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DNBT8105 | 1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DNBT8105-7 | 1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DP350T05 | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DMP3035LSS | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP3035LSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| DMP3035SFG-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| DMP3036SSS-13 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19.5A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1931pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:1 |
| DMP3050LSS-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH 30V 4.8A SO-8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30V P-CH MOSFET |
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