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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DS1220AB-100 |
| 英文描述： | NVRAM (Battery Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（基于電池） |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | DS1220AB-100 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1220AB-120 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1220AB-150 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1220AD-100 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1220AD-120 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1220AD-150 | NVRAM (Battery Based) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1220AB-100+ | 功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1220AB-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1220AB-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:16k Nonvolatile SRAM |
| DS1220AB-100IND+ | 功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1220AB-120 | 功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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