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參數(shù)資料
型號: DS1220Y-200-IND
英文描述: NVRAM (Battery Based)
中文描述: NVRAM中(基于電池)
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 430K
代理商: DS1220Y-200-IND
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PDF描述
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參數(shù)描述
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DS1221 功能描述:IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM(SRAM) 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應商設備封裝:16-SOIC W 包裝:管件
DS1221S 功能描述:IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM(SRAM) 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應商設備封裝:16-SOIC W 包裝:管件
DS1221S/T&R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:
DS1221S/T&R 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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