欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào): DS1230W-100
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
中文描述: 3.3 256k非易失SRAM
文件頁(yè)數(shù): 1/11頁(yè)
文件大小: 233K
代理商: DS1230W-100
1 of 11
111899
FEATURES
10 years minimum data retention in the
absence of external power
Data is automatically protected during power
loss
Replaces 32k x 8 volatile static RAM,
EEPROM or Flash memory
Unlimited write cycles
Low-power CMOS
Read and write access times as fast as 150 ns
Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
applied for the first time
Optional industrial temperature range of
-40
°
C to +85
°
C, designated IND
JEDEC standard 28-pin DIP package
New PowerCap Module (PCM) package
-
Directly surface-mountable module
-
Replaceable snap-on PowerCap provides
lithium backup battery
-
Standardized pinout for all nonvolatile
SRAM products
-
Detachment feature on PowerCap allows
easy removal using a regular screwdriver
PIN ASSIGNMENT
PIN DESCRIPTION
A0 - A14
DQ0 - DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
- Address Inputs
- Data In/Data Out
- Chip Enable
- Write Enable
- Output Enable
- Power (+3.3V)
- Ground
- No Connect
DS1230W
3.3V 256k Nonvolatile SRAM
www.dalsemi.com
13
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
28-Pin ENCAPSULATED PACKAGE
740-mil EXTENDED
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
28
15
A12
A14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
NC
NC
NC
NC
V
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
34
NC
GND
V
BAT
34-Pin POWERCAP MODULE (PCM)
(USES DS9034PC POWERCAP)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1233-10 5V EconoReset
DS1233Z-5 5V EconoReset
DS1233A-10 5V EconoReset
DS1233D-10 5V EconoReset
DS1233D-15 5V EconoReset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1230W-100+ 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230W-100IND 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230W-100IND+ 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230W-150 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230W-150+ 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 锡林郭勒盟| 龙陵县| 利辛县| 贡山| 昭苏县| 吉安县| 罗源县| 红原县| 慈利县| 长宁县| 舞钢市| 唐山市| 蓬莱市| 广灵县| 福泉市| 康乐县| 科技| 宁陕县| 阳原县| 榆林市| 和林格尔县| 武夷山市| 张家口市| 钟祥市| 汝阳县| 凤庆县| 金寨县| 益阳市| 砚山县| 宜章县| 天镇县| 克东县| 澎湖县| 陇南市| 屏东市| 鸡东县| 轮台县| 绥棱县| 民县| 观塘区| 阳谷县|