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參數(shù)資料
| 型號： | DS1230Y-200 |
| 廠商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, DMA28 |
| 封裝： | 0.740 INCH, DIP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | DS1230Y-200 |
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121907
FEATURES
10 years minimum data retention in the
absence of external power
Data is automatically protected during power
loss
Replaces 32k x 8 volatile static RAM,
EEPROM or Flash memory
Unlimited write cycles
Low-power CMOS
Read and write access times as fast as 70 ns
Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
applied for the first time
Full
±10% V
CC operating range (DS1230Y)
Optional
±5% V
CC operating range
(DS1230AB)
Optional industrial temperature range of
-40
°C to +85°C, designated IND
JEDEC standard 28-pin DIP package
PowerCap Module (PCM) package
-
Directly surface-mountable module
-
Replaceable snap-on PowerCap provides
lithium backup battery
-
Standardized pinout for all nonvolatile
SRAM products
-
Detachment feature on PowerCap allows
easy removal using a regular screwdriver
PIN ASSIGNMENT
PIN DESCRIPTION
A0 - A14
- Address Inputs
DQ0 - DQ7
- Data In/Data Out
CE
- Chip Enable
WE
- Write Enable
OE
- Output Enable
VCC
- Power (+5V)
GND
- Ground
NC
- No Connect
DS1230Y/AB
256k Nonvolatile SRAM
www.maxim-ic.com
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27
28-Pin ENCAPSULATED PACKAGE
740-mil EXTENDED
A14
A7
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ0
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ5
DQ6
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A12
A6
DQ2
GND
DQ4
DQ3
1
NC
2
3
NC
VCC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
4
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NC
A14
33
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A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
34
NC
GND
VBAT
34-Pin POWERCAP MODULE (PCM)
(USES DS9034PC POWERCAP)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230Y-120 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120 ns, DMA28 |
| DS1230AB-200 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28 |
| DS1230Y-85 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85 ns, PDIP28 |
| DS1230ABP-100 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA34 |
| DS1230AB-85 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85 ns, PDIP28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1230Y-200+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1230Y-200IND | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1230Y-200-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230Y-200IND+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1230Y-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
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