型號: | DS1245YP-120 |
英文描述: | NVRAM (Battery Based) |
中文描述: | NVRAM中(基于電池) |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 61K |
代理商: | DS1245YP-120 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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DS1245YP-120-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:1024k Nonvolatile SRAM |
DS1245YP-70 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
DS1245YP-70+ | 功能描述:NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
DS1245YP-70IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
DS1245YP-70-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:1024k Nonvolatile SRAM |