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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DS1250AB-100 |
| 廠商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DIP32 |
| 封裝： | 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/11頁(yè) |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | DS1250AB-100 |
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FEATURES
10 years minimum data retention in the
absence of external power
Data is automatically protected during power
loss
Replaces 512k x 8 volatile static RAM,
EEPROM or Flash memory
Unlimited write cycles
Low-power CMOS
Read and write access times as fast as 70 ns
Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
applied for the first time
Full
±10% V
CC operating range (DS1250Y)
Optional
±5% V
CC operating range
(DS1250AB)
Optional industrial temperature range of
-40
°C to +85°C, designated IND
JEDEC standard 32-pin DIP package
New PowerCap Module (PCM) package
-
Directly surface-mountable module
-
Replaceable snap-on PowerCap provides
lithium backup battery
-
Standardized pinout for all nonvolatile
SRAM products
-
Detachment feature on PCM allows easy
removal using a regular screwdriver
PIN ASSIGNMENT
PIN DESCRIPTION
A0 - A18
- Address Inputs
DQ0 - DQ7
- Data In/Data Out
CE
- Chip Enable
WE
- Write Enable
OE
- Output Enable
VCC
- Power (+5V)
GND
- Ground
NC
- No Connect
DS1250Y/AB
4096k Nonvolatile SRAM
www.dalsemi.com
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32-Pin ENCAPSULATED PACKAGE
740-mil EXTENDED
A14
A7
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ0
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ5
DQ6
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A16
A12
A6
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GND
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DQ4
DQ3
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NC
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A15
A16
NC
VCC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
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A17
A14
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A13
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A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
34
A18
GND
VBAT
34-Pin POWERCAP MODULE (PCM)
(USES DS9034PC POWERCAP)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1250Y-100 | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DIP32 |
| DS1250W-150 | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32 |
| DS1250WP-150 | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA34 |
| DS1250Y-70 | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA32 |
| DS1250YP-100 | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA34 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1250AB-100+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1250AB-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1250AB-100-IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1250AB-100IND+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1250AB-70 | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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