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參數資料
| 型號： | DS1250YL-70-IND |
| 廠商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
| 封裝： | POWERCAP MODULE-34 |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | DS1250YL-70-IND |
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083106
FEATURES
§ 10 years minimum data retention in the
absence of external power
§ Data is automatically protected during power
loss
§ Replaces 512k x 8 volatile static RAM,
EEPROM or Flash memory
§ Unlimited write cycles
§ Low-power CMOS
§ Read and write access times as fast as 70ns
§ Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
applied for the first time
§ Full ±10% VCC operating range (DS1250Y)
§ Optional ±5% VCC operating range
(DS1250AB)
§ Optional industrial temperature range of
-40
°C to +85°C, designated IND
§ JEDEC standard 32-pin DIP package
§ PowerCap Module (PCM) package
-
Directly surface-mountable module
-
Replaceable snap-on PowerCap provides
lithium backup battery
-
Standardized pinout for all nonvolatile
SRAM products
-
Detachment feature on PCM allows easy
removal using a regular screwdriver
PIN ASSIGNMENT
PIN DESCRIPTION
A0 - A18
- Address Inputs
DQ0 - DQ7
- Data In/Data Out
CE
- Chip Enable
WE
- Write Enable
OE
- Output Enable
VCC
- Power (+5V)
GND
- Ground
NC
- No Connect
DS1250Y/AB
4096k Nonvolatile SRAM
www.maxim-ic.com
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32-Pin ENCAPSULATED PACKAGE
740-mil EXTENDED
A14
A7
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ0
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ5
DQ6
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A16
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GND
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DQ3
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NC
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A15
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NC
VCC
WE
OE
CE
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DQ3
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DQ0
GND
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A13
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A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
34
A18
GND VBAT
34-Pin POWERCAP MODULE (PCM)
(USES DS9034PC POWERCAP)
PowerCap is a registered trademark of Dallas Semiconductor.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1254W | 0 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PBGA168 |
| DS1254Y | 0 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PBGA168 |
| DS1284 | 1 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PDIP28 |
| DS1284QN | 1 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PQCC28 |
| DS1286 | 1 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, DIP28 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DS1250YP-100 | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1250YP-100+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1250YP-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:4096k Nonvolatile SRAM |
| DS1250YP-70 | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1250YP-70+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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