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參數(shù)資料
型號(hào): DS1330YL-100-IND
英文描述: NVRAM (Battery Based)
中文描述: NVRAM中(基于電池)
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大小: 215K
代理商: DS1330YL-100-IND
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PDF描述
DS1330YL-70 NVRAM (Battery Based)
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DS1336S Power Supply Switching Circuit
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參數(shù)描述
DS1330YL-70 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1330YL-70IND 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1330YL-70-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330YP-100 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1330YP-100+ 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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