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參數(shù)資料
| 型號： | DS1350WP-150 |
| 英文描述： | NVRAM (Battery Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（基于電池） |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | DS1350WP-150 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1350WP-150+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1350WP-150IND | 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 150NS 34PCM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1350WP-150-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1350Y | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1350Y/AB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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