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參數資料
| 型號： | DSA75-12B |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Rectifier Diode Avalanche Diode |
| 中文描述： | 110 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 封裝： | DO-5, 1 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | DSA75-12B |
2000 IXYS All rights reserved
1 - 2
V
RSM
V
900
1300
1300
1700
1900
V
(BR)min
x
V
RRM
V
-
-
1300
1760
1950
Anode
on stud
Cathode
on stud
DSI
75-08B
DSI
75-12B
DSAI
75-12B
DSAI
75-16B
DSAI
75-18B
V
800
1200
1200
1600
1800
DS
75-08B
DS
75-12B
DSA
75-12B
DSA
75-16B
DSA
75-18B
x
Only for Avalanche Diodes
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
I
F(RMS)
I
F(AV)M
P
RSM
I
FSM
T
VJ
T
case
= 100 C; 180 sine
DSA(I) types, T
VJ
= T
VJM
, t
p
= 10 s
T
VJ
= 45 C;
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
T
VJ
= 45 C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
= T
160
110
A
A
20
kW
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
1400
1500
1250
1310
A
A
A
A
I
2
t
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
9800
9450
7820
7210
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
stg
M
d
-40...+180
C
C
C
180
-40...+180
Mounting torque
2.4-4.5
21-40
Nm
lb.in.
g
Weight
21
V
RRM
= 800-1800 V
I
F(RMS)
= 160 A
I
F(AV)M
= 110 A
Features
G
International standard package,
JEDEC DO-203 AB (DO-5)
G
Planar glassivated chips
Applications
G
High power rectifiers
G
Field supply for DC motors
G
Power supplies
Advantages
G
Space and weight savings
G
Simple mounting
G
Improved temperature and power
cycling
G
Reduced protection circuits
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
I
R
V
F
V
T0
r
T
R
thJC
R
thJH
d
S
d
A
a
T
VJ
I
F
For power-loss calculations only
T
VJ
= T
VJM
DC current
DC current
= T
VJM
; V
R
= V
RRM
= 150 A; T
VJ
= 25 C
6
mA
1.17
V
0.75
V
2
m
0.5
0.9
K/W
K/W
Creepage distance on surface
Strike distance through air
Max. allowable acceleration
4.05
3.9
100
mm
mm
m/s
2
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Data according to IEC 60747
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
DS
DSA 75
75
DSI
DSAI 75
75
744
Rectifier Diode
Avalanche Diode
A = Anode C = Cathode
DO-203 AB
1/4-28UNF
DS
DSA
DSI
DSAI
C
A
A
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSA75-16B | Rectifier Diode Avalanche Diode |
| DSA75-18B | Rectifier Diode Avalanche Diode |
| DSAI75-12B | Rectifier Diode Avalanche Diode |
| DSAI75-16B | Rectifier Diode Avalanche Diode |
| DSAI75-18B | Rectifier Diode Avalanche Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DSA75-16B | 功能描述:整流器 1600V 110A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| DSA75-18B | 功能描述:整流器 1800V 75A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| DSA7U0100L | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA7U01Q0L | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA7U01R0L | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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