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參數資料
| 型號： | DTA143TAA |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|園區 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | DTA143TAA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DTA143TCA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| DTA143XAA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
| DTA143XCA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| DTA143XFA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| DTA143XH | トランジスタ |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DTA143TCA RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTA143TE RK | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTA143TEATL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| DTA143TEBTL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 |
| DTA143TET1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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