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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DTA143ZM |
| 英文描述： | トランジスタ |
| 中文描述： | トランジスタ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | DTA143ZM |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DTA143ZVA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
| DTA144EAA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SIP |
| DTA144ECA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23 |
| DTA144GVA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
| DTA144TAA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DTA143ZM RL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTA143ZM3T5G | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| DTA143ZMT2L | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DIGITAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| DTA143ZSA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTA143ZSATP | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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