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參數資料
| 型號： | DTC143ZC |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 1299K |
| 代理商： | DTC143ZC |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DTA115EC | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SOT-23 |
| DTA115EK | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| DTA115EL | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
| DTA115GK | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR |
| DTA115GL | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DTC143ZCA RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTC143ZCAT216 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| DTC143ZCA-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Sgle NPN, 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTC143ZCPT216 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| DTC143ZE | 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPN SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 150mW 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPN SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 150mW - free partial T/R at 500. |
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