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參數資料
| 型號： | DU1230P |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 8A I(D) | SOT-279 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 40V的五（巴西）直| 8A條（丁）|的SOT - 279 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | DU1230P |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DU1311 | SMD Unshielded Power Inductor Series |
| DU1330 | SMD Unshielded Power Inductor Series |
| DU1352 | SMD Unshielded Power Inductor Series |
| DU1971 | SMD Unshielded Power Inductor Series |
| DU6629 | SMD Unshielded Power Inductor Series |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DU1230S | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| DU1230V | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 8A I(D) | SOT-161VAR |
| DU1260T | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| DU1311 | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:SMD Unshielded Power Inductor Series |
| DU1311-100M | 功能描述:INDUCTOR 10UH 3.5A 20% 1311 RoHS:否 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:DU1311 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
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