品牌 | hynix | 型號 | hy5du121622dtp-d43-c |
批號 | 09+ | 封裝 | tsop66 |
營銷方式 | 現貨 | 產品性質 | 熱銷 |
處理信號 | 數字信號 | 工藝 | 半導體集成 |
導電類型 | 雙極型 | 集成程度 | 大規模 |
工作溫度 | 0~70(℃) |
適用于通訊行業、消費類電子行業 ,如gps、pda、dvd/vcd、復讀機、游戲機、考勤機、機頂盒、數碼相機等
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hynix(hyundai)現代sdram
現代sdrma的含義:
hy 5d v 64 16 2 2 a t- 36
hy xx x xx xx xx x x x x x xx
1 2 3 4 5 6 7 8 9 1011 12
1、hy/sdram代表是現代的產品
2、sdram芯片類型:(57=sdram,5d=ddr sdram);
3、工作電壓:空白=5v,v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率:16=16mbits、4k ref;64=64mbits、8k ref;65=64mbits、4k ref;128=128mbits、8k ref;129=128mbits、4k ref;256=256mbits、16k ref;257=256mbits、8k ref
5、代表芯片輸出的數據位寬:40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、bank數量:1、2、3分別代表2個、4個和8個bank,是2的冪次關系
7、i/o界面:1 :sstl_3、 2 :sstl_2
8、芯片內核版本:可以為空白或a、b、c、d等字母,越往后代表內核越新
9、代表功耗:l=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、現代sdram芯片封裝形式:jc=400mil soj,tc=400mil tsop-ⅱ,td=13mm tsop-ⅱ,tg=16mm tsop-ⅱ
11、工作速度:55 :183mhz、5 :200mhz、45 :222mhz、43 :233mhz、4 :250mhz、33 :300nhz、l :ddr200、h :ddr266b、 k :ddr266a
什么叫sdram?
sdram是synchronous dynamic random access memory(同步動態隨機存儲器)的簡稱,是前幾年普遍使用的內存形式。sdram采用3.3v工作電壓,帶寬64位,sdram將cpu與ram通過一個相同的時鐘鎖在一起,使ram和cpu能夠共享一個時鐘周期,以相同的速度同步工作,與 edo內存相比速度能提高50%。
sdram基于雙存儲體結構,內含兩個交錯的存儲陣列,當cpu從一個存儲體或陣列訪問數據時,另一個就已為讀寫數據做好了準備,通過這兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率就能得到成倍的提高。
流水線意味著芯片可以在處理完之前的指令前接受一個新的指令.在一個寫的流水線中,寫命令在另一個指定執行完后可以立刻執行,而不需要等待數據寫入存儲隊列的時間.在一個讀的流水線中,需要的數據在讀指令發出之后固定數量的時鐘頻率后到達.而在等特這個指令的時候可以發出其它附加指令.這種延遲被稱為等待時間,在為計算機購買存儲器關鍵的數據.
sdram不僅可用作主存,在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應用。sdram曾經是長時間使用的主流內存,從430tx芯片組到845芯片組都支持sdram。從起初的sdram到之后的ddr(或稱ddr1),然后隨著ddr2與ddr3的陸續進入大眾市場, 面ddr4現在也在籌劃中,估計2012會投入市場.這樣的話.sdram也只會逐步退出主流市場
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