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分離式半導體產品 BCR 114F E6327品牌、價格、PDF參數

BCR 114F E6327 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
BCR 114F E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 0
BCR 112W E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DIGITAL SOT-323 0
BCR 112T E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75 0
BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 0
BCR 112F E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 0
BCR 108W E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL SOT-323 0
BCR 108T E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL SC-75 0
BCR 108L3 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL TSLP-3 0
BCR 108F E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL TSFP-3 0
BCR 108 B6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL SOT-23 0
BCR 103T E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75 0
BCR 103L3 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP3-4 0
BCR 103F E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 0
BCR 101T E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN 50V 50MA SC-75 0
BCR 101L3 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN 50V 50MA TSLP3-4 0
BCR 114F E6327 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): 50V
電阻器 - 基極 (R1)(歐): 4.7k
電阻器 - 發射極 (R2)(歐): 10k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE): 30 @ 5mA,5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大): 300mV @ 500µA,10mA
電流 - 集電極截止(最大): -
頻率 - 轉換: 160MHz
功率 - 最大: 250mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-723
供應商設備封裝: PG-TSFP-3
包裝: 帶卷 (TR)
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